Les enjeux majeurs des systèmes de communication sans fil / RF de dernière génération, au-delà de la 5G ou pour les applications radar concernent l’intégration de fonctions nécessaires sur un système le plus compact possible, et la montée en débit des communications radio par l’utilisation de bandes de fréquence de plus en plus hautes (28 GHz, 60 GHz, 140 GHz, ainsi que la gamme THz), avec des bandes passantes également très larges (de quelques centaines de MHz à plusieurs dizaines de GHz) le tout en intégrant des techniques de diversité d’antenne au niveau du front end (accès MIMO).

Ce poste d’Ingénieur chercheur en conception millimétriques et Terahertz a pour objectif de renforcer l’équipe LAIR dans le domaine du dimensionnement et de la conception de circuit dans les bandes millimétriques et Terahertz.  Ceci suppose une maitrise des fonctions et des blocs actifs (typ. Chaine d’amplification émission/réception) aussi bien que passif (switch, filtres ,déphaseurs, lignes de propagation). L’analyse des performances des blocs de base sur des technologies avancées pour accompagner le développement des technologies dans des gammes de fréquence ou puissance élevées est aussi visé.  

Au sein de la DRT, les Ingénieurs-chercheurs ont pour objectif premier de mener à bien des travaux de recherche à des fins de transfert technologique, au travers de projets collaboratifs et bilatéraux avec des partenaires industriels et académiques de rang mondial.

Intégré dans une équipe projet travaillant au développement d’une nouvelle brique technologique dans l’objectif d’assurer la montée en fréquence dans la gamme THz pour les applications 6G, le candidat participera à la définition, l’analyse, la conception et la simulation d’éléments passifs de type (ligne de propagation, filtre diplexer) aussi bien que les éléments actifs utilisant des  transistors HBT sur substrat InP . Aussi, le candidat doit avoir de l'expérience dans la modélisation, la conception et la simulation de circuits RF/mmW/THz.

Le/la candidat(e) prendra en charge les missions suivantes :
- Définition de la meilleure topologie/architecture par rapport aux spécifications techniques.
-   Conception et simulation de circuits intégrés au niveau transistors incluant les interconnexions haute fréquence, les lignes de propagation, l’analyse EM, layout et validation.
- Présentation en revue de conception et rédaction de documentation technique.
- Contribution aux publications et brevets afin de promouvoir les technologies et les capacités de conception du Leti.

Le travail se fera au sein d’une équipe projet d’ingénieurs-chercheurs CEA et en relation avec des partenaires industriels et/ou académiques, en France et en Europe en particulier. Des déplacements et missions sont possibles pour des salons et conférences ou chez nos partenaires. Les profils et compétences des collègues étant variés, il sera essentiel de faire preuve d’ouverture d’esprit et d’initiatives.

Le/la candidat(e) devra avoir une très bonne connaissance de l'utilisation des outils de conception de circuits intégrés analogique/RF et mmW, mais aussi en simulation électrique, en simulation électromagnétiques (EM) ainsi qu'en conception layout  avec Maîtrise des outils de conception tels que Cadence, ADS, Momentum, HFSS

afin de réaliser typiquement :

- Simulation EM et conception de composants passifs incluant ligne de propagation et filtres.

- Simulation de transistors dans tous les domaines de l’électronique analogique et RF

- Modélisation de composant passifs et/ou actifs

- Conception d'amplificateurs de puissance et faible bruit au fréquences mmW/THz