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Ingénieur modélisation de dispositifs actifs RF pour application accélérateur quantique H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2019-9828  

Description de la Direction

Le Leti, institut de recherche technologique de Cea Tech, a pour mission d'innover et de transférer les innovations à l'industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique, de miniaturisation des composants, d'intégration système, et d'architecture de circuits intégrés, à la base de l'internet des objets, de l'intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée. Le Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l'innovation technologique.

Description de l'unité

Le Laboratoire de Simulation et de Modélisation (LSM) a pour mission de supporter les développements des technologies silicium avec un cœur d'activité centré sur les dispositifs de type transistor et cellule mémoire. Le LSM met en œuvre des expertises en simulation, en modélisation compacte et en extraction de paramètres pour la simulation des circuits intégrés. La modélisation compacte est un ingrédient nécessaire au développement d'applications par les designers. Elle se complète de façon nécessaire par la conception de structures de test et leur caractérisation électrique en vue de l'extraction des paramètres des modèles implémentés dans les Process Design Kits (PDK), permettant aux designers de concevoir des circuits. En outre, il est indispensable d'effectuer des démonstrations du potentiel de ces technologies sur des circuits représentatifs des différents domaines d'application visés. Le LSM a initié des développements sur la modélisation compacte des transistors à température cryogénique. Dans le cadre d'un programme visant à la réalisation d'accélérateurs quantiques en technologie silicium, ces travaux doivent être renforcés et pérennisés afin d'être en mesure de décrire correctement le comportement des dispositifs à hautes fréquences et d'accompagner dans la durée les besoins croissants des concepteurs en termes de finesse et de précision de la description.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

CDI

Intitulé de l'offre

Ingénieur modélisation de dispositifs actifs RF pour application accélérateur quantique H/F

Statut du poste

Cadre

Description de l'offre

Dans le cadre ci-dessus, la mission de l’ingénieur de recherche recruté aura pour principale responsabilité le développement de la modélisation des transistors FDSOI opérant à température cryogénique et à hautes fréquences (RF). Pour cela, outre le travail de développement du modèle de transistor lui-même, il participera à la définition et à l’implémentation des structures de tests sur les runs dédiés, il spécifiera les caractérisations électriques nécessaires à la calibration du modèle (incluant la modélisation du bruit et des effets non quasi-statiques), il développera et appliquera le flow d’extraction de paramètres permettant une description précise des caractéristiques mesurées, et il mettra en place les librairies de modèles qui seront intégrées dans les Process Design Kits (PDK).

Ce travail sera réalisé au sein d’une équipe de développeurs, en collaboration étroite avec les concepteurs de circuits intégrés, les technologues, les personnes en charge de la caractérisation électrique et l’équipe développant les PDK.

Profil du candidat

Ingénieur électronique : physique du dispositif et modélisation RF
Doctorat en micro/nanoélectronique

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes

Lieu

17 avenue des martyrs 38000 Grenoble

Demandeur

Disponibilité du poste

01/07/2019