Pause
Lecture
Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Alternance:Analyse combinée ToF-SIMS/XPS et élaboration base de données et bibliothèque H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2022-21333  

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Alternance

Durée du contrat (en mois)

12 mois max

Description de l'offre

A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nano technologies, technologies de l’information et de la santé.

Interface privilégiée du monde industriel et de la recherche académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés via des programmes de recherche utilisant nos plateformes technologiques.

Les semi-conducteurs ont acquis en trente ans une importance considérable aux niveaux technique et industriel. Les performances de ces matériaux déposés en couches minces reposent sur la maîtrise des caractéristiques chimiques et morphologiques des surfaces/interfaces via le couplage de techniques d’analyse de surface : la spectrométrie de masse à temps de vol (ToF-SIMS) et la Spectroscopie de Photoélectrons à Rayonnement X (XPS). La combinaison de ces deux techniques permettra d’accéder à une quantification de la composition chimique et des dopants dans la profondeur de semiconducteurs d’intérêt tels que les matériaux de type IV-IV Si/SiGe, III-V AlGaN et II-VI CdHgTe pour des applications aux transistors de puissance, aux LEDs ou encore aux détecteurs infrarouge de dernière génération.

Travail demandé :

But :
Analyser et caractériser quantitativement la composition chimique et les dopants de matériaux d’intérêt pour la microélectronique via la réalisation de profils en profondeur ToF-SIMS (avec des résolutions de l’ordre du nanomètre) d’une sélection de matériaux standards et le couplage de mesures XPS.

Elaborer des méthodes de profilage en profondeur et mettre en place une bibliothèque de standards et une base de données associée répertoriant les protocoles utilisés pour les mesures Abrasion à l’argon monoatomique, au Césium et/ou aux clusters d’argon).

Corréler deux techniques complémentaires (ToF-SIMS, XPS) pour ajuster des compositions chimiques.

Aspect novateur :
Contribuer à l’entretien et l’enrichissement du patrimoine scientifique et technique de la plateforme de nano-caractérisation (PFNC) via l’archivage (la classification) d’échantillons de référence et la mise en place de bases de données d’informations pertinentes (vitesses d’abrasion , RSFs).

Instrumentation :
Profilométrie ToF-SIMS et analyse de surface complémentaire XPS, Interféromètre optique

 

Profil du candidat

 Licence pro Chimie-Physique, Matériaux, Microélectronique 

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

GRENOBLE

Critères candidat

Diplôme préparé

Bac+3 - Licence

Demandeur

Disponibilité du poste

05/09/2022