Informations générales
Entité de rattachement
Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.
Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).
Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.
Référence
2022-24021
Description du poste
Domaine
Matériaux, physique du solide
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Caractérisations et Optimisation de substrats InPoSi pour la croissance de couches épitaxiales
Sujet de stage
En partenariat avec différents industriels, le Laboratoire Intégration et Transfert de Film (LIFT) réalise au sein des salles blanches du LETI les différents étapes d'intégration des dispositifs à base de report de films. L'un de ces sujets vise à transférer par technologie SmartCutTM un film d'InP sur un substrat Silicium. Ce film d'InP pourra être soit continu (pleine plaque) soit discontinu (puces InP). On nommera ce substrat « InPoSi ». L'objectif du stage est d'évaluer, dans un premier temps, l'impact des dernières étapes de fabrication (polissage, capping, recuit de guérison et étapes de nettoyage) sur la qualité des bords de wafers et des bords de puces d'InP. Dans un second temps, l'impact de ces effets de bords sur l'épitaxie elle-même sera à évaluer/optimiser.
Durée du contrat (en mois)
6 mois
Description de l'offre
L’objectif de ce stage s’intègre dans une amélioration continue des substrats d’InPoSi. Il s’agit d’étudier l’impact des différentes étapes de finition lors de la fabrication de substrats InPoSi. Ces étapes reposent sur du polissage, des étapes de capping (dépôt d'oxyde) et de désoxydation, de recuit et de nettoyage. Elles jouent toutes un rôle sur la qualité finale de la surface du substrat. Cet état de surface sera évalué par des caractérisations diverses (AFM, MEB, XPS, mesures d'épaisseur et de défectivité particulaire,...)
Une attention particulière sera portée aux effets de bord : bord de wafers et bords de puces. En effet différents défauts peuvent se localisés sur ces zones ; leur identification ainsi que leur impact sur la croissance des épitaxies est à évaluer. Une analyse précise de ces effets est donc un prérequis essentiel pour aller ensuite vers une optimisation des substrats. Afin de renforcer la compréhension sur ces zones, des véhicules de tests seront à proposer et à réaliser. Ils reposeront par exemple, sur une redéfinition des bords de puces par des processus de lithographie et de gravure, mis en œuvre par chimie ou par plasma. L'espacement des puces ainsi que l'orientation cristalline de l'InP pourront plus largement être évalués au travers ces véhicules de tests. En effet, ils auront pour objectif de décorréler différents paramètres et permettront ainsi d'ouvrir des perspectives d'amélioration.
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Moyens / Méthodes / Logiciels
Vous travaillerez de manière transverse avec les équipes filière du laboratoire, ainsi que les diffé
Profil du candidat
Une connaissance poussée en matériau est indispensable.
Formation : BAC +5
Localisation du poste
Site
Grenoble
Ville
Grenoble
Critères candidat
Diplôme préparé
Bac+5 - Master 2
Formation recommandée
Matériaux
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