Informations générales
Entité de rattachement
Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.
Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).
Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.
Référence
2022-23841
Description de l'unité
A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nano technologies, technologies de l'information et de la santé.
Interface privilégiée du monde industriel et de la recherche académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés via des programmes de recherche utilisant nos plateformes technologiques.
Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Croissance et caractérisations de couches épaisses InxGa1-xN à forte concentration en In H/F
Sujet de stage
A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nano technologies, technologies de l'information et de la santé.
Interface privilégiée du monde industriel et de la recherche académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés via des programmes de recherche utilisant nos plateformes technologiques.
Durée du contrat (en mois)
6 max
Description de l'offre
Pour les applications de réalité virtuelle et augmentée, les micro-écrans composés de micro-LEDs bleues, vertes et rouges de petites tailles (< 10µm) sont requises. Les trois couleurs primaires doivent alors être obtenues avec la même famille de matériaux, tel que l’InxGa1-xN, en variant son énergie de bande interdite via sa concentration en In. Cependant, l’alliage InxGa1-xN se dégrade pour une concentration x en In supérieure à 20% lorsque cru sur un substrat conventionnel à base de GaN. Un autre substrat à base d’une couche d’InxGa1-xN relaxée est alors nécessaire pour réduire l’état de contrainte dans la structure de la micro-LED, et ainsi être capable d’augmenter la concentration en In de la couche tout en gardant une haute qualité cristalline.
Merci d'envoyer vos CV et LM à : amelie.dussaigne@cea.fr
Profil du candidat
BAC+5 M1/M2 Physique de l’état solide, physique des semi-conducteurs
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
Grenoble
Critères candidat
Diplôme préparé
Bac+5 - Master 2
Possibilité de poursuite en thèse
Oui
Demandeur
Disponibilité du poste
01/02/2023
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