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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Post-doc - Study of GaN-based complementary transistor architectures H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2022-22886  

Description de l'unité

A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nano technologies, technologies de l'information et de la santé. Interface privilégiée du monde industriel et de la recherche académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés via des programmes de recherche utilisant nos plateformes technologiques.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Post-doctorat

Intitulé de l'offre

Post-doc - Study of GaN-based complementary transistor architectures H/F

Sujet de stage

The postdoctoral work will focus on the development of GaN transistors with a p-FET behavior.

Durée du contrat (en mois)

12 possible 24

Description de l'offre

There is a strong interest de develop GaN-based logic for high temperatures, radiative environments or for co-integration with power transistors in order to limit parasitics in the gate-drive loop and increase device lifetime.

HEMT-based technologies with a pGaN- or MOS- gate allow to fabricate suitable n-FETs (Field Effect Transistors with an electronic conduction channel) with current densities above 100mA/mm and an Ion/Ioff ration larger than 5 decades. The fabrication of P-FETs (with a conducting channel made-up of holes), does not allow to have as high performance due to the low mobility of holes which is more than one order of magnitude lower than that of electrons as well as the difficulty to obtain ohmic contacts on p-doped GaN with as good of properties as on n-doped GaN.

The work that is proposed here will first consist in revisiting the architectures of the state of the art followed by the proposal of novel structures that allow to potentially obtain improved performance by using TCAD simulations (Synopsys® SentaurusTM). An experimental study of ohmic contacts on p-GaN will be conducted as well, using different metals and epitaxy stacks that could allow to foresee a CMOS compatible device integration.

The work will be lead in collaboration with experts working on device integration, electrical contact technologies on III-V materials, TCAD simulations and epitaxy.

Profil du candidat

You have a PhD in microelectronics with in-depth knowledge of semiconductor device physics, GaN-based HEMTs and TCAD simulation.

You appreciate to work within a multidisciplinary team and are fluent in English.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

  Grenoble

Demandeur

Disponibilité du poste

17/10/2022