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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Caractérisation électrique de transistors FDSOI haute tension pour la 3D séquentielle H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2020-14962  

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Caractérisation électrique de transistors FDSOI haute tension pour la 3D séquentielle H/F

Sujet de stage

L'intégration 3D séquentielle est la solution technologique ultime pour atteindre une forte densité d'interconnexion entre des niveaux de dispositifs électroniques empilés mais elle requiert de réaliser les dispositifs des niveaux supérieurs à faible budget thermique. Le CEA-Leti, pionnier dans ce domaine, possède une expertise unique concernant la réalisation de transistors fabriqués à faible température. Le stage s'inscrit dans un cadre de diversification de cette filière technologique pour adresser des applications dites hétérogènes, où les dispositifs empilés sont interfacés avec des capteurs (par exemple imageur) ou actionneurs. Dans cette application, la qualité de l'empilement de grille est particulièrement critique et requiert des innovations pour améliorer les performances et surtout la fiabilité des transistors, tout en respectant la limitation de budget thermique induite par cette filière.

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

Le (la) stagiaire contribuera à la caractérisation électrique de transistors MOS Fully-Depleted-Silicon-On-Insulator (FDSOI) haute tension (5V) dédiés à une intégration séquentielle à basse température en 3D et pouvant servir comme transistor de commande de capteurs ou actionneurs. Différents empilements de grille et différentes variantes d’intégration seront comparés. Des paramètres électriques clés seront extraits et la fiabilité des composants analysée vis-à-vis des variantes technologiques.

Ce stage sera co-encadré par l’équipe d’intégration & de dispositifs et par l’équipe de tests et caractérisation électrique.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

Grenoble

Critères candidat

Langues

  • Français (Courant)
  • Anglais (Intermédiaire)

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Formation recommandée

Physique des Semiconducteurs et Dispositifs - Nanoélectronique

Demandeur

Disponibilité du poste

04/01/2021