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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

CDD : Ingénieur Test et Caractérisation électrique dispositifs GaN sur silicium H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2021-17682  

Description de la Direction

Le Leti, institut de recherche technologique de Cea Tech, a pour mission d'innover et de transférer les innovations à l'industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique, de miniaturisation des composants, d'intégration système, et d'architecture de circuits intégrés, à la base de l'internet des objets, de l'intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée. Le Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l'innovation technologique.

Description de l'unité

Le marché des composants de puissance en Nitrure de Gallium (GaN) est en pleine croissance et doit atteindre selon les projections plus de 8M€ en 2020. Dans ce cadre le CEA-Leti développe une technologie GaN sur Si 200mm allant de l'épitaxie du substrat jusqu'au module de puissance final dans le cadre du projet IRT POWERGAN. Le LCTE (Laboratoire de Caractérisation et Test Electrique) est garant des tests et caractérisations électriques réalisés sur les substrats épitaxiés mais aussi sur les composants de puissance fabriqués sur ces wafers (HEMTs, Diodes etc…), le but étant de comprendre l'impact de toutes les étapes technologiques sur le fonctionnement du dispositif final. Le spectre de tests couvre actuellement une large gamme de paramètres des états ON et OFF en fonctionnement statique et dynamique, néanmoins certains paramètres dynamiques restent à mesurer et de nouvelles caractérisations restent à mettre en place.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

CDD

Intitulé de l'offre

CDD : Ingénieur Test et Caractérisation électrique dispositifs GaN sur silicium H/F

Statut du poste

Cadre

Durée du contrat (en mois)

36 mois

Description de l'offre

 Le travail se focalisera principalement sur le test, la caractérisation et la fiabilité de composants GaN sur silicium (HEMTs et Diodes) ainsi que sur la mise en place et le développement de nouvelles méthodologies de tests et d'instrumentation. Les tests seront effectués majoritairement sur wafer voir sur composants packagés. La connaissance du comportement dynamique des composants GaN pour la puissance étant primordial, l'ingénieur sera en charge de :
• La caractérisation et le test de composants de puissance GaN sur silicium au travers de tests dédiés
• L'évolution des bancs de tests et de logiciels de pilotages des instruments associés (type Agilent et Keithley)
• Le développement de nouvelles caractérisations sous l'égide du responsable LCTE de la thématique puissance GaN
• L'extraction des paramètres électriques pertinents et le support sur les outils de traitement de données et base de données
• Le reporting régulier aux équipes projets afin d'interpréter les résultats obtenus et de proposer des leviers d'amélioration des composants
• S'assurer des stabilités des mesures au cours du temps et d'un suivi des bancs de test
• Proposer des analyses physiques sur les phénomènes observés au regard des process technologiques mis en jeu

Le projet sera réalisé en collaboration étroite avec un partenaire industriel

 

Profil du candidat

Ingénieur de formation (Bac +5) ayant une expérience dans le domaine du test et de l'instrumentation pour les mesures électriques. Une bonne connaissance de la physique des composants de puissance est requise. Une maîtrise des outils de programmation et de traitement de données est requise (C/C++, Python, HT Basic, Scilab, Matlab)

Compétences techniques :
• Physique des composants à semiconducteurs
• Instrumentation pour la mesure de composants semiconducteurs
• Conception et simulation de circuit de mesures (pSpice, LTspice)
• Pilotage d'instruments de mesures et création d'interface IHM (Pyhton, Matlab…)
• Anglais courant indispensable (reporting et présentations)

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France

Ville

  GRENOBLE

Critères candidat

Formation recommandée

BAC + 5 microélectronique

Demandeur

Disponibilité du poste

01/01/2022