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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Conception de mémoire SRAM non-volatile H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2021-16185  

Description de la Direction


Au sein de CEA Tech, le pôle « recherche technologique » du CEA, l'Institut List dédie ses activités aux systèmes numériques intelligents avec des programmes de R&D dans le manufacturing avancé, les systèmes embarqués, et l'intelligence ambiante. Nous accompagnons nos partenaires dans les domaines des transports, de l'industrie, de l'énergie, de la santé, de la sécurité et de la défense, pour transférer les technologies issues de l'innovation et améliorer leur compétitivité ;

Description de l'unité

Au sein du département des Systèmes et Circuits intégrés Numériques, le Laboratoire LFIM (Laboratoire Fonctions Innovantes pour circuits Mixtes) étudie et développe des solutions innovantes en termes d'architectures et outils logiciels dans plusieurs domaines : le calcul proche mémoire, les circuits sécurisés, les plateformes basées sur un cœur RISC-V pour IoT et télécom, les circuits mixtes pour applications industrielles.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

CDD

Intitulé de l'offre

Conception de mémoire SRAM non-volatile H/F

Statut du poste

Cadre

Durée du contrat (en mois)

18

Description de l'offre

  • CONTEXTE

L’Internet des Objets (IoT) est une thématique de recherche clef dans le domaine des circuits électroniques intégrés. Des contraintes fortes s’appliquent aux applications de l’IoT, notamment en terme de consommation énergétique et d’autonomie. Les systèmes qui implémentent de telles applications ont un taux d’activité très faibles et peuvent être amenés à passer une partie importante de leur temps en veille. Ils sont réveillés par des événements de natures diverses telle que des alarmes, des sollicitations par communication sans fil, par des capteurs ou encore des événements énergétiques issus de leur batterie ou de récupérateurs d’énergie. Une partie du système reste active et capable de réagir à ces événements. La consommation énergétique de ses systèmes doit ainsi être optimisée, notamment durant ces périodes de veille réactive.

La gestion des données durant les phases de transition entre ces modes de fonctionnement est un challenge prépondérant. La sauvegarde des données d’une mémoire volatile rapide vers une mémoire non-volatile nécessite du temps et de l’énergie et induit une réduction des performances globales. L’intégration profonde de la non-volatilité dans le système est une propriété cruciale pour améliorer la qualité des solutions IoT. Dans le cadre du projet NV-APROC, nous proposons de concevoir une mémoire SRAM non-volatile en utilisant des éléments unitaires magnétiques non-volatiles. Les efforts se portent actuellement sur les dispositifs de jonctions tunnel magnétiques par couplage de transfert de spin hors plan (STT-MTJ). Néanmoins, l’état de l’art international propose une nouvelle génération de jonctions, les jonctions tunnel magnétiques par couplage d’orbite de spin (SOT-MTJ), qui semble plus prometteuse et qui mérite d’être évaluée.

  • MISSIONS

Le but principal  est de développer un composant mémoire magnétique. 

Vous partirez de l’architecture classique d’un composant mémoire.

- Intégrerez dans cette structure les éléments non-volatiles développés au laboratoire Spintec.

- Ferez évoluer l’architecture classique en fonction des contraintes d’utilisation des éléments mémoires non-volatiles.

- Concevrez le composant résultant grâce à la suite de conception Cadence et validerez son fonctionnement grâce à des simulations électriques. La conception de ce composant sera poussée jusqu’au layout afin de permettre une caractérisation précise de ses performances.

Profil du candidat

Cette offre est dédiée aux candidats détenteurs d'un diplôme d'ingénieur en électronique et désireux de faire valoir et d'améliorer leur connaissance et leurs compétences dans des sujets avancés tels que la conception mémoire et la non-volatilité. Une base de connaissance dans l'un ou l'autre de ces sujets serait apprécié.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

  Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée

BAC+5, Ingénieur en électronique

Demandeur

Disponibilité du poste

31/05/2021