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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Développement de procédé de gravure par plasma pour transistors de puissance à base de GaN H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2019-10489  

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Développement de procédé de gravure par plasma pour transistors de puissance à base de GaN H/F

Sujet de stage

Les composants électroniques de puissance sont utilisés dans les nouvelles technologies pour l'énergie telles que le photovoltaïque, l'éolien ou encore le véhicule électrique. L'utilisation des matériaux III-V (GaN, AlGaN) a permis d'améliorer les performances des transistors utilisés. Une étape clé pour obtenir les caractéristiques électriques désirées est le contrôle précis de la gravure du matériau III-V. Cette gravure ne doit pas endommager l'empilement sous-jacent afin de ne pas impacter les performances électriques du dispositif final.

Durée du contrat (en mois)

6 mois

Description de l'offre

Ce stage aura pour objectif le développement de procédés de gravure plasma pour les matériaux III-V tels que le GaN et l’AlGaN. Il aura aussi pour but d’étudier les procédures de nettoyage du réacteur de plasma utilisé pour ces gravures, qui doit rester propre au cours du temps afin de garantir la répétabilité des gravures. Ce stage se déroulera dans l’environnement salle blanche 200mm du LETI. Il se décomposera en 3 parties :

- Développer les procédés de gravure pour l’AlGaN et le GaN suivant les critères visés en terme de vitesse de gravure, de profil et d’uniformité. Etude de l’influence du dopage des matériaux sur ces performances morphologiques.

- Evaluer l’endommagement engendré par ces procédés de gravure afin de les optimiser, en utilisant les outils de caractérisations adaptés (mesure de résistivité, XPS, AFM, MEB…).

 - Evaluer la performance des procédures de nettoyage du réacteur de gravure, et les adapter aux nouveaux procédés de gravure développées afin de garantir un réacteur propre et répétable dans le temps.

Vous travaillerez de manière transverse avec les équipes procédé et caractérisation. Votre autonomie sera essentielle pour profiter au mieux de la variété des compétences disponibles au LETI. De bonnes connaissances en matériaux, en caractérisations physico-chimiques, et en micro-électronique notamment  sur les techniques de fabrication utilisées dans ce domaine seront nécessaires pour aborder cette problématique.

 

Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mme PIMENTA-BARROS Patricia à l'adresse suivante : patricia.pimenta-barros@cea.fr

Profil du candidat

Ecole d'ingénieur ou Master 2

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes

Demandeur

Disponibilité du poste

03/02/2020