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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

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Etude physique et expérimentale de l'empilement de grille pour les transistors AlGaN/GaN H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2018-7420  

Description de l'unité

A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nanotechnologies, technologies de l'information et de la santé.
Interface privilégiée du monde industriel et de la rechercher académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés via des programmes de recherche utilisant nos plateformes techniques.
Les transistors AlGaN/GaN actuellement développés au LETI pour le marché des convertisseurs de puissance visent des tenues en tensions élevées (supérieures à 650V) et de faibles résistances à l'état passant permettant de conduire des courants élevés (de la
dizaine, voire la centaine d'ampères). L'empilement de grille MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) avec une couche de diélectrique entre le semiconducteur AlGaN/GaN et le métal de grille doit être performant (mobilité élevée des porteurs sous la grille, peu de
charges piégées), fiable en tenue en tension ou sous injection de charges, et avec peu de défauts d'interface. Ce point est particulièrement délicat avec le GaN qui ne possède pas un
oxyde natif de bonne qualité intrinsèque comme cela est le cas avec le SiO2 pour les technologies silicium.

Délai de traitement

2 mois

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Etude physique et expérimentale de l'empilement de grille pour les transistors AlGaN/GaN H/F

Sujet de stage

Etude physique et expérimentale de l'empilement de grille pour les
transistors AlGaN/GaN

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

En se basant sur les travaux précédents, le stage s’articulera autour

des points suivants:

· Caractérisation électrique des transistors et capa MIS GaN existants afin de déterminer les

défauts d’interface

· En se basant sur les analyses physico-chimique et électrique, choix des meilleures options

technologiques pour la réalisation d’un empilement de grille répondant aux enjeux visés

· Forte interaction avec les équipes de caractérisation électrique et physique (plateforme

nano-caractérisation), et les équipes techniques en charge de la fabrication des composants

· Présentations en anglais régulières devant l’industriel partenaire

 

MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A :

laura.vauche@cea.fr,

romain.gwoziecki@cea.fr

 

Profil du candidat

PFE école ingénieur ou M2

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Rhone-Alpes

Lieu

cea grenoble

Critères candidat

Diplôme préparé

Bac+5 - Master 2

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

02/01/2019