Informations générales
Entité de rattachement
Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.
Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).
Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.
Référence
2022-25256
Description de la Direction
CEA Tech est le leader mondial de la recherche technologique. Les équipes d'ingénieurs chercheurs sont mobilisées pour bâtir et transférer à des partenaires industriels des portefeuilles de technologies répondant aux besoins des filières technologiques dans les domaines de l'information, de la communication, de l'énergie et de la santé. Le Leti, l'un des instituts de CEA Tech concentre son activité sur les micro/nanotechnologies et leurs applications aux systèmes et composants de communication sans fil, à la biologie et la santé, à l'imagerie, et aux Micro-Nano Systèmes (MNS).
Description de l'unité
Le laboratoire LAIR du département Leti/DSYS développe des systèmes sur puce (SoC) en technologies CMOS avancées : 130 nm, 65 nm (bulk et PD-SOI), 55nm BiCMOS, 45 nm (PD-SOI), 40 nm, 28 nm (notamment FD-SOI) et 22 nm, à très forte complexité pour des partenaires industriels du domaine des télécommunications, aussi bien des grands groupes, que des PME et start-up.
Les enjeux majeurs des systèmes de communication sans fil / RF de dernière génération, au-delà de la 5G ou pour les applications radar concernent l'intégration de fonctions nécessaires sur un système le plus compact possible, et la montée en débit des communications radio par l'utilisation de bandes de fréquence de plus en plus hautes (28 GHz, 60 GHz, 140 GHz, ainsi que la gamme THz), avec des bandes passantes également très larges (de quelques centaines de MHz à plusieurs dizaines de GHz) le tout en intégrant des techniques de diversité d'antenne au niveau du front end (accès MIMO). Dans ces applications MIMO en particulier, l'efficacité énergétique des fronts-end radiofréquences est un enjeu majeur poussant les développements technologiques en ce sens. En outre, l'intégration de plusieurs technologies dites hétérogène offre une flexibilité et des performances accrues tout en assurant un niveau d'intégration très poussé.
Description du poste
Domaine
Composants et équipements électroniques
Contrat
CDI
Intitulé de l'offre
Ingénieur chercheur en conception et modélisation de briques RF en technologies avancées H/F
Statut du poste
Cadre
Description de l'offre
Ce poste d’ingénieur chercheur en conception et modélisation de briques RF en technologies avancées a pour objectif de renforcer l’équipe LAIR dans le domaine de la compréhension de la physique des dispositifs avancés tel que les transistors III-5 sur silicium ou le comportement des dispositifs dans des environnements contraints afin de réaliser des circuits démonstrateurs. Ceci suppose une maitrise de la caractérisation et de la modélisation des composants actifs aussi bien que passif afin d’aborder la conception de circuit dans une approche « bottom-up ».
Au sein de la DRT, les Ingénieurs-chercheurs ont pour objectif premier de mener à bien des travaux de recherche à des fins de transfert technologique, au travers de projets collaboratifs et bilatéraux avec des partenaires industriels et académiques de rang mondial.
Au sein d’équipes projet travaillant au développement ou à l’utilisation de nouvelles technologies principalement pour des applications 5G / 6G (des fréquences sub-7GHz à sub-THz), vous participerez à la définition, l’analyse, la conception, la simulation, l’implémentation et la caractérisation avec les missions suivantes :
· Veille technologique, analyse comparative des solutions de l’état de l’art international, implication active dans les salons, les conférences internationales, dépôts de brevets, écriture d’articles de journaux scientifiques et publications de travaux.
· Analyse des besoins de nos partenaires institutionnels et industriels afin de proposer des solutions innovantes.
· Conception de circuits RF exploitant les bénéfices de nouvelles technologies CMOS, SiGe ou III-V et HBT INP.
· Simulations EM, allant jusqu’à l’implémentation physique (layout) sur des technologies avancées.
· Prise en compte dans la conception des blocs mmW actifs et passifs des contraintes d’intégration technologique avec l’environnement (assemblage technologique hybride par exemple BiCMOS et III-V, contraintes de packaging et d’interconnexion).
· Réalisation, interprétation, synthèse et présentation de résultats de simulation et de test.
· Spécification de cartes de test.
Profil du candidat
Le travail se fera au sein d’une équipe projet d’ingénieurs-chercheurs CEA et en relation avec des partenaires industriels et/ou académiques, en France et en Europe en particulier. Des déplacements et missions sont possibles pour des salons et conférences ou chez nos partenaires. Les profils et compétences des collègues étant variés, il sera essentiel de faire preuve d’ouverture d’esprit et d’initiatives pour aller chercher l’innovation dans la complémentarité des ressources allouées aux projets. Les résultats obtenus et l’activité inventive devront prioritairement faire l’objet d’une analyse de propriété intellectuelle en vue de leur protection ou exploitation, ainsi que faire l’objet de publications scientifiques.
Vous êtes titulaire d'un Bac+5 minimum, Diplôme d’ingénieur ou de master, avec un Doctorat dans le domaine de la conception de dispositifs intégrés mmW.
Expériences souhaitées :
- Conception des fonctions de base constituant un front-end radio (LNA, PA, MIXER, VCO)
- Maitrise des simulations dans l’environnement CADENCE et ADS
- Maitrise des simulations électromagnétiques pour la conception de composants passifs
- Connaissances des spécificités des technologies CMOS, SOI, SiGe, GaN, HBT INP.
- Maitrise de la caractérisation de dispositifs et de circuits jusqu’aux fréquences THz
- Maitrise de la modélisation de composants actifs et passifs
Vous devrez être capable de maitriser l’ensemble de la chaine, allant de la caractérisation jusqu’à la conception. Les simulateurs utilisés seront ADS / Momentum / Spectre RF / Goldengate sous environnement Keysight ou CADENCE, ainsi que les logiciels HFSS pour la conception EM en 3D (rayonnement, propagation, packaging, etc).
Les projets étant des projets de recherche sur cahiers des charges non figés, vous devrez faire preuve de capacités d’adaptation et d'une réelle capacité à l'innovation. Vous devez être autonome, doté d'une rigueur scientifique, être force de proposition et montrer une volonté à dépasser l'état de l'art. Les qualités suivantes sont en particulier recherchées
- Ouverture d’esprit
- Esprit d’initiative et appétence pour l’innovation
- Envie et capacité de travailler en équipe
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
Grenoble
Critères candidat
Langues
Anglais (Courant)
Demandeur
Disponibilité du poste
16/01/2023