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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Sensibilité des composants nanoélectroniques innovants aux effets des radiations


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Situé à 40 km au sud de Paris, le centre DAM-Île de France, a en charge la conception des armes nucléaires françaises, la recherche et développement dans le domaine de la lutte contre la prolifération et le terrorisme, l'alerte aux autorités en cas de séisme, de tsunami ou d'essai nucléaire étranger, la construction et le démantèlement de grandes infrastructures nucléaires. Leader français de la simulation numérique et du calcul intensif, il possède deux des machines européennes les plus puissantes. Il dispose également de plusieurs accélérateurs et de nombreux moyens techniques et expérimentaux pour mener ses recherches. Lui est également rattaché, l'Unité Propulsion Nucléaire située sur le centre CEA/Cadarache en région Provence Alpes-Côte d'Azur, où sont implantées les installations d'essais et une partie des fabrications de la propulsion nucléaire.  

Référence

2022-21104-S0688  

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Post-doctorat

Intitulé de l'offre

Sensibilité des composants nanoélectroniques innovants aux effets des radiations

Sujet de stage

Sensibilité des composants nanoélectroniques innovants aux effets des radiations

Durée du contrat (en mois)

1 à 2 ans

Description de l'offre

L’évolution et l’intégration des composants électroniques reposent depuis longtemps sur la miniaturisation des dimensions des transistors. Leur taille atteint désormais des dimensions telles que les épaisseurs de couches minces ne contiennent plus que quelques couches atomiques. Pour poursuivre l’intégration des composants, une des voies les plus prometteuses consiste à explorer les empilements en 3D de composants. Cette démarche initiée au CEA LETI depuis plusieurs années a permis l’apparition de composants tels que les FinFETs), les nano-fils de silicium et plus récemment les nano-sheets. Les premières études radiatives du CEA DIF montrent que les premières générations de ces technologies sont prometteuses, et identifiées comme solution possible pour l’électronique du futur. Ces études radiatives nécessitent d’être poursuivies sur les dernières générations technologiques actuellement développées au LETI.
Les objectifs de ce post-doctorat seront :
• de comprendre le fonctionnement des composants avancés du CEA LETI et des effets prédominants des radiations dans l’électronique,
• d’identifier, de modéliser et de simuler numériquement les environnements radiatifs d’intérêt et leur interaction avec les zones sensibles des dispositifs,
• de définir et réaliser les tests radiatifs pertinents par rapport aux environnements définis,
• d’évaluer les règles de conception pour optimiser les futurs composants électroniques afin de les rendre plus résistants aux effets des radiations.
Le travail se déroulera selon les étapes suivantes :
• Etude bibliographique : fonctionnement des composants LETI et environnements radiatifs d’intérêt.
• Modélisation du comportement électrique des composants étudiés.
• Réalisation de campagnes d’expérimentation radiative sur ces composants (sur site ou à l’étranger).
• Identification/analyse et modélisation des mécanismes originaux de dégradation et modélisation.
• Identification des stratégies possibles de durcissement.
Les travaux seront réalisés en interface avec plusieurs équipes des laboratoires impliqués (CEA DIF et CEA LETI) et des collaborations externes pour les expériences réalisées.Ce post-doctorat d’un an, renouvelable une fois, s’effectuera sur le centre du CEA-DAM-DIF à Arpajon (91) situé à 35 km au sud de Paris. Ce site est desservi par des lignes de bus dédiées partant de nombreuses villes de la région parisienne. Des collaborations nationales ou internationales seront mises à profit aussi bien pour les expérimentations réalisées sous faisceaux de particules que pour la modélisation et la simulation numérique des environnements radiatifs et de leurs effets sur l’électronique.

Profil du candidat

Electronique et microélectronique
Post-doc

Localisation du poste

Site

DAM Île-de-France

Localisation du poste

France, Ile-de-France, Essonne (91)

Ville

Bruyères-le-Châtel