Pause
Lecture
Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Simulation et compréhension de l'impact des interfaces sur le fonctionnement d'une µ-LED GaN H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2022-23130  

Description de l'unité

Le CEA LETI (Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information) à Grenoble est un des centres de recherche technologique leaders mondiaux en matière de NTIC (Nouvelles Technologies de l'Information et de la Communication).
Sa mission première est de développer des solutions innovantes dans ses différents domaines de compétences et de les transférer à l'industrie dans le cadre de partenariats industriels, afin de répondre aux besoins de marchés à forte croissance.

Les activités du département Optique et Photonique (DOPT) portent sur le développement de solutions innovantes, de la technologie jusqu'aux systèmes en passant par les composants dans le domaine de l'imagerie d'une part et sur des applications dites "Photoniques" d'autre part.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Simulation et compréhension de l'impact des interfaces sur le fonctionnement d'une µ-LED GaN H/F

Sujet de stage

Caractérisation et modélisation du contact metal/GaN

Durée du contrat (en mois)

4-6 mois

Description de l'offre

Les microLEDs à base de semiconducteurs GaN sont un potentiel candidat pour les futures afficheurs, que ce soit pour les grands et petits écrans grâce aux puissances optiques que ces dispositifs peuvent émettre et grâce à la fiabilité de ce matériau dans le temps.
Dans ce contexte, le contact métal semiconducteur est de première importance afin de limiter la perte de puissance électrique au niveau de ces interfaces.


Ce stage s'orientera sur la modélisation et la caractérisation électrique des contacts métal/semiconducteurs pour le p-GaN et le n-GaN.
Pour cela des dispositifs type TLM (Transfer Line Method) n et p seront caractérisés en température (haute température). A partir de ces mesures, des méthodes d'extraction des caractéristiques spécifiques au contact seront développées et mises en œuvre.

En parallèle de cette activité de caractérisation, des simulations sous Silvaco (TCAD: simulations des dispositifs semiconducteurs) ainsi que des modèles pseudo-analytiques (thermoïnique, FE et TFE) seront étudiés/développés afin de s’assurer des modèles utilisés par la TCAD.
Ces modèles devront être utilisés pour comprendre et interpréter les résultats de mesure électrique. La modélisation TCAD des dispositifs sera aussi utilisées afin de valider les méthodes de caractérisation mises en place précédemment.


Dans un deuxième temps, si le temps le permet, le stage pourra s'orienter vers la modélisation temporel de la diode afin de comprendre l'impact des différents paramètres (et principalement le contact)sur la vitesse de fonctionnement de la diode.

Moyens / Méthodes / Logiciels

Matlab/Silvaco/Python

Profil du candidat

Une bonne sensibilité mathématique et physique est requise.

Un goût pour le calcul analytique et la simulation est indispensable.

Pour ce stage, le candidat devra avoir des compétences en physique des semiconducteurs.

Des compétences en matlab seraient un plus.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

  Grenoble

Critères candidat

Diplôme préparé

Bac+5 - Master 2

Formation recommandée

Ingénieur

Possibilité de poursuite en thèse

Non

Demandeur

Disponibilité du poste

01/02/2022