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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

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Stage : Développement de mesures dynamiques pour composants GaN sur silicium H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2019-10162  

Description de l'unité

Le Leti, institut de recherche technologique de Cea Tech, a pour mission d'innover et de transférer les innovations à l'industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique, de miniaturisation des composants, d'intégration système, et d'architecture de circuits intégrés, à la base de l'internet des objets, de l'intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée. Le Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l'innovation technologique. L'institut est localisé à Grenoble avec deux bureaux aux USA et au Japon, et compte 1800 chercheurs.

Délai de traitement

3 mois

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage : Développement de mesures dynamiques pour composants GaN sur silicium H/F

Sujet de stage

Développement de mesures dynamiques pour composants GaN sur silicium

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

Cadre et contexte

Les composants de puissance GaN sur Si sont aujourd’hui vu comme la prochaine génération de composants « mass market » pour la conversion d’énergie électrique. Dans ce cadre, le LETI développe sa propre filière GaN sur Si (compatible CMOS) allant du substrat au module final.  Ces dispositifs doivent opérer des commutations entre un état de forte tension (~650V) et de fort courant (~20A) à des fréquences élevées (> 100kHz). Il est donc nécessaire de tester le fonctionnement dynamique de ces composants le plus tôt possible dans la chaine de process.

 

Travail demandé :

Vous aurez en charge la définition des tests à réaliser pour déterminer les performances des composants en commutation ainsi que leur limitations (fréquence maximum de commutation, couple tension/courant maximum). Vous devrez par la suite développer le design des cartes à pointes possédant l’électronique de mesure embarquée ainsi que le cahier des charges associé. Vous serez garant du suivi de fabrication des cartes ainsi que de leur preuve de fonctionnement et de l’intégration à l’équipement de mesure sous pointes. Vous développerez les routines de pilotage des instruments de mesures et réalisera les tests associés sur les composants fournis par le LETI. Vous reporterez les performances et les limites de cartes développées. Un travail approfondi sur l’étude des design des composants sera demandé. Vous devrez faire preuve d’autonomie, de rigueur et d’esprit d’équipe. Le stage ouvrira sur une thèse portant sur la fiabilité dynamiques des dispositifs GaN sur Si.

Profil du candidat

Vous êtes en dernière année d'école d'Ingénieur ou en M2.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes

Lieu

17 avenue des martyrs 38000 Grenoble

Critères candidat

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

01/02/2020