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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Stage - Dimensionnement électrique par simulation TCAD de Dispositifs à base de SiC H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2021-18873  

Description de l'unité

Au sein du CEA-LETI, le LAboratoire des composants de Puissance à Semiconducteur (LAPS) conçoit, fabrique et analyse des dispositifs de puissance avancés (diodes, transistors). Ainsi depuis quelques années, le LAPS a mis en place une filière transistors 650V sur GaN/Si 200mm dans le cadre d'un projet de transfert technologique en France.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage - Dimensionnement électrique par simulation TCAD de Dispositifs à base de SiC H/F

Sujet de stage

Pour atteindre les objectifs de l'Accord de Paris, il est crucial de diminuer l'intensité énergétique mondiale. En particulier, améliorer l'efficacité énergétique des composants de puissance permet de limiter les pertes lors des étapes de conversion d'énergie électrique.
Dans ce cadre, le LETI a développé une forte expertise dans les composants de puissance (GaN, …). La recherche de solutions énergétiques plus compactes, plus économes en matériaux nous impose de repenser la R&D de convertisseurs d'énergie, domaine où le SiC est un matériau qui a démontré ses atouts.
Le stage portera sur l'étude des composants SiC (diodes, …) pour les projets en cours au LETI. La ou le stagiaire aura la charge de mener l'étude de dimensionnement de ces structures : simuler le fonctionnement électrique de composants et déterminer les combinaisons de paramètres (épaisseurs de couches, layout, dopage, …) maximisant leurs performances. Ce cahier des charges constituera la base de nos filières SiC.

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

En quelques années à peine, et à cause de la nécessité toujours plus impérieuse d’économiser l’énergie électrique, le carbure de silicium (SiC) est devenu un acteur majeur de la filière électronique. Ce semi-conducteur à large bande interdite possède en effet un champ de claquage élevé, une grande vitesse de saturation des électrons et une forte conductivité thermique. C’est cette combinaison unique de propriétés physiques exceptionnelles qui lui donne une excellente tenue en tension, conjuguée avec une excellente aptitude au passage des très fortes densités de courant. Si l’on y adjoint la possibilité de travailler à haute fréquence et à haute température, on comprend que SiC soit un matériau offrant de grandes améliorations de performances, et se traduisant également par des conceptions plus efficaces et compactes dans diverses applications de l'électronique de puissance.

Le travail demandé durant le stage sera:
-Une analyse bibliographique du sujet (SiC, dispositifs de puissance) et la découverte du domaine et du projet
-La prise en main des outils de simulation TCAD (formation avec experts du labo de simulation)
-Définition du plan de simulation: dimensionnement électrique de structures de base (diode SiC…)
-Simulations et traitement des données
-Participation aux échanges entre labos (substrat, caractérisation électrique, intégration) au sein des équipes projet
-Rédaction rapport/présentation(s)

Moyens / Méthodes / Logiciels

logiciel de simulation TCAD (Synopsis)

Profil du candidat

Le ou la candidate sera élève en école d’ingénieur (dernière année), ou en Master 2. Elle ou il devra avoir des connaissances en physique des semi-conducteurs, sur les composants électroniques, sur les procédés de fabrication micro-électronique. De plus, il ou elle aura une réelle appétence pour le travail de simulation numérique.

L’esprit d’équipe, l’autonomie, le dynamisme, la rigueur scientifique et une bonne aisance relationnelle seront aussi des qualités requises pour ce travail de travail de R&D qui est une entrée en matière pour la thèse prévue (en caractérisation-modélisation) à la suite de ce stage.

Autres compétences souhaitées :
- Anglais écrit et parlé

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

  Grenoble

Critères candidat

Langues

Anglais (Courant)

Diplôme préparé

Bac+5 - Master 2

Formation recommandée

école ingénieur, master 2

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

01/03/2022