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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Stage: Epitaxie sélective de matériaux à fort couplage spin-orbite H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2021-19007  

Description de l'unité

A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nano technologies, technologies de l'information et de la santé.
Interface privilégiée du monde industriel et de la recherche académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés via des programmes de recherche utilisant nos plateformes technologiques.

Description du poste

Domaine

Matériaux, physique du solide

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage: Epitaxie sélective de matériaux à fort couplage spin-orbite H/F

Sujet de stage

Les matériaux semi-conducteurs à fort couplage spin-orbite tels que CdTe, HgTe et InSb permettent de contrôler et manipuler les spins électroniques pour concevoir des circuits électroniques innovants. Ces matériaux possèdent des paramètres cristallins très proches ce qui autorise les hétérostructures. L'étude de l'épitaxie sélective de HgTe et CdTe au laboratoire doit permettre la réalisation de nanostructures, essentiellement des nanofils, sur des substrats masqués par lithographie.

Durée du contrat (en mois)

6 max

Description de l'offre

La croissance sélective est réalisée par épitaxie par jets moléculaires au CEA-Leti sur des substrats de CdTe ou InSb préalablement structurés par lithographie. La sélectivité consiste ici à trouver des conditions de croissance qui favorisent l’épitaxie sur les parties libérées du substrats. Idéalement ces matériaux vont croître sur les parties libres du substrat uniquement, et pas sur les parties masquées. Le stage consiste donc à étudier l’effet de certains paramètres de croissance sur la sélectivité et de caractériser le matériau déposé à l’aide de techniques variées (diffraction X, MEB, AFM, TEM). Une attention particulière sera apportée à la préparation des surfaces avant épitaxie et à la relation entre le matériau déposé et les masques utilisés qui peuvent être de différente nature (SiO2, TiN etc…). Si les résultats de croissance le permettent, des premières mesures de transport électronique à basse température pourront être envisagées à l’Institut Néel (Hermann Sellier).

Les bénéfices attendus sont pour le laboratoire l’établissement des conditions de croissance adéquates pour obtenir une bonne sélectivité ainsi que la mise en place des techniques de caractérisation les plus adaptées. Ce stage permettra d’aborder la réalisation d’objets nanostructurés ainsi que la physique associée et de se former à nombre de techniques de caractérisation utilisées largement dans la communauté des semi-conducteurs.

 

Envoi des CV et LM : philippe.ballet@cea.fr

Profil du candidat

Ingénieur/Master

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes

Ville

GRENOBLE

Critères candidat

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

07/02/2022