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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Stage - Etude de structures amplificatrices à haute bande passante en technologies SiGe-BiCMOS H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2020-14203  

Description de l'unité

Le Leti, institut de recherche technologique de Cea Tech, a pour mission de créer de la valeur et de l'innovation avec ses partenaires industriels. Il fait le lien entre la recherche fondamentale et la production de micro et nanotechnologies dans le but d'améliorer la qualité de vie de chacun. Fort d'un portefeuille de 2.800 brevets, le Leti façonne des solutions avancées pour améliorer la compétitivité de ses partenaires industriels: grands groupes, PME ou startups. Localisé à Grenoble (38), le Leti compte plus de 1 800 chercheurs et a des bureaux aux US et au Japon.

Description du poste

Domaine

Composants et équipements électroniques

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage - Etude de structures amplificatrices à haute bande passante en technologies SiGe-BiCMOS H/F

Sujet de stage

Etude de structures amplificatrices à haute bande passante en technologies SiGe-BiCMOS pour des applications de télécom optique (FSO) et comptage de photons.

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

Dans le contexte de l'internet par satellite et des futures constellations de micro satellites dédiées à cet usage, la communication très haut débit entre ces derniers est un enjeu majeur. Les communications optiques en espace libre apparaissent comme une voie privilégiée. Ces communications réclament notamment des détecteurs très sensibles et permettant d’atteindre des débits très élevés.

Toutefois, le besoin toujours pressant d’augmenter les débits de communication nécessite d’accroitre de façon importante la bande passante du circuit intégré aujourd’hui réalisé en technologie CMOS.


L’utilisation d’une technologie possédant en plus des transistors bipolaires à hétérojonction (SiGe-BiCMOS) permet de bénéficier de transistors aux caractéristiques de vitesse bien plus élevées et ainsi d’atteindre une bande passante de 1GHz.


Le stage aura donc pour but la conception d’un circuit de lecture haute passante en technologie SiGe-BiCMOS.

Après une phase de bibliographie, vous étudierez différentes structures amplificatrices qui pourront tirer profit des transistors SiGe. A partir de l’architecture retenue vous concevrez l’étage amplificateur d’entrée et réaliserez ensuite l’évaluation, par simulation, de ses performances.

Ce stage vous donnera l'opportunité d'acquérir une expertise sur l'ensemble de la conception de circuits intégrés analogiques, de l'étude système jusqu'à la fabrication du prototype. Enfin, vous découvrirez les différentes missions d'un chercheur tout en gardant un environnement de transfert industriel et un cadre applicatif.

Moyens / Méthodes / Logiciels

Simulateurs type Cadence, ELDO, SPICE

Profil du candidat

Vous devrez posséder des compétences et un goût pour l'électronique intégrée analogique.
Vous ferez preuve de dynamisme et d'autonomie dans votre travail ainsi que d'une belle motivation pour relever l'enjeu technique proposé et développer vos compétences de conception micro-électronique dans un domaine de pointe.

Cette proposition est dédiée aux étudiants recherchant un stage au contenu ambitieux et désirant acquérir une expérience dans la recherche technologique en lien avec l'industrie.
Ce stage est par ailleurs bien adapté aux étudiants désirant poursuivre en doctorat.
La poursuite en doctorat n'est toutefois ni obligatoire ni systématique.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

Grenoble

Critères candidat

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Formation recommandée

ingénieur ou master 2 spécialité microélectronique

Possibilité de poursuite en thèse

Oui