Informations générales
Entité de rattachement
Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.
Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).
Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.
Référence
2023-25760
Description de l'unité
Le Laboratoire de Simulation et de Modélisation (LSM) est chargé de développer des outils de simulation de matériaux et de composants, ainsi que des modèles de composants permettant de concevoir et de simuler des circuits.
Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Stage - Etude et évaluation des performances de transistors à effet de champ à base de matériaux 2D H/F
Sujet de stage
Etude et évaluation des performances de transistors à effet de champ à base de matériaux 2D
Durée du contrat (en mois)
6
Description de l'offre
L’émergence des matériaux bidimensionnels (2D) offre de nouvelles opportunités d’amélioration des performances pour les futures générations de technologies CMOS pour le calcul numérique haute performance (HPC). Parmi eux, les dichalcogénures de métaux de transition (TMD), tels que MoS2 et WS2, sont les semi-conducteurs 2D les plus attrayants et sont envisagés par des industriels tels qu’Intel.
Les transistors à effet de champ utilisant des films minces 2D (2D-FETs) semblent être prometteurs pour les applications HPC et également celles de basse consommation grâce à leur bon transport électronique (mobilité) et à leur finesse atomique entraînant un bon contrôle électrostatique et, par conséquent, de faibles courants de fuite Ioff. Cependant, les recherches montrent que ce type de technologie se heurte à plusieurs défis : réduction des résistances de contacts source/drain, contrôle de la variabilité et optimisation des transistors à canaux courts.
Le présent sujet de stage s’inscrit dans cette optique et consiste à étudier, au travers des simulations TCAD (Technology Computer Aided Design), la sensibilité des performances des 2D-FETs en fonction des paramètres technologiques (matériaux et géométrie), ce qui est primordial dans le processus de compréhension et d’optimisation de ce genre de dispositif.
Le travail demandé durant le stage sera:
· Une analyse bibliographique (TMD, 2D-FETs) ;
· La prise en main des outils de simulation TCAD Synopsys ;
· Simulations de l’impact des interfaces métal/TMD et TMD/substrat sur les performances de 2D-FETs ;
· Simulations de l’influence des paramètres des 2D-FETs (nombre de couches atomiques de TMD, dopage, …) afin d’appréhender leur impact sur les caractéristiques du dispositif ;
· Rédaction de rapport et présentation orale.
Moyens / Méthodes / Logiciels
Logiciel de simulation TCAD Synopsys
Profil du candidat
· Master 2 ou 3ème année d’école d’ingénieur en physique des semi-conducteurs ou microélectronique
· Une solide formation en physique des semi-conducteurs et en physique du solide est requise
· Candidat dynamique et autonome
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
Grenoble
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