Ingénieur chercheur conception circuits intégrés millimétriques front-end radiofréquences H/F

Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2022-23978  

Description de la Direction

CEA Tech est le leader mondial de la recherche technologique. Les équipes d'ingénieurs chercheurs sont mobilisées pour bâtir et transférer à des partenaires industriels des portefeuilles de technologies répondant aux besoins des filières technologiques dans les domaines de l'information, de la communication, de l'énergie et de la santé. Le Leti, l'un des instituts de CEA Tech concentre son activité sur les micro/nanotechnologies et leurs applications aux systèmes et composants de communication sans fil, à la biologie et la santé, à l'imagerie, et aux Micro-Nano Systèmes (MNS).

Description de l'unité

Le laboratoire LAIR du département Leti/DSYS développe des systèmes sur puce (SoC) et des modules (SiP) à très forte complexité en technologies CMOS avancées (130 nm PD-SOI, 65 nm bulk et PD-SOI, 45 nm PD-SOI, 40 nm, 28 nm et 22 nm FD-SOI), BiCMOS (130nm, 55nm) et GaN (150nm, 100nm), pour des partenaires industriels du domaine des télécommunications, aussi bien des grands groupes, que des PME et start-up.
Les enjeux majeurs des systèmes de communication sans fil / RF de dernière génération, au-delà de la 5G ou pour les applications radar concernent l'intégration de fonctions nécessaires sur un système le plus compact possible, et la montée en débit des communications radio par l'utilisation de bandes de fréquence de plus en plus hautes (28 GHz, 60 GHz, 140 GHz, ainsi que la gamme THz), avec des bandes passantes également très larges (de quelques centaines de MHz à plusieurs dizaines de GHz) le tout en intégrant des techniques de diversité d'antenne au niveau du front end (accès MIMO). Dans ces applications MIMO en particulier, l'efficacité énergétique des fronts-end radiofréquences est un enjeu majeur poussant les développements technologiques en ce sens. En outre, l'intégration de plusieurs technologies dites hétérogènes offre une flexibilité et des performances accrues tout en assurant un niveau d'intégration très poussé.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

CDI

Intitulé de l'offre

Ingénieur chercheur conception circuits intégrés millimétriques front-end radiofréquences H/F

Statut du poste

Cadre

Description de l'offre

Au sein de la DRT, les Ingénieurs-chercheurs ont pour objectif premier de mener à bien des travaux de recherche à des fins de transfert technologique, au travers de projets collaboratifs et bilatéraux avec des partenaires industriels et académiques de rang mondial.

Au sein d’équipes projet travaillant au développement de nouvelles architectures d'émetteur-récepteur mmW pour des applications Beyond 5G / 6G ainsi que des fonctions radar, vous participerez à la définition, l’analyse, la conception, la simulation, l’implémentation et la caractérisation de front end radio :

·       Veille technologique, analyse comparative des solutions de l’état de l’art international, implication active dans les salons, les conférences internationales, dépôts de brevets, écriture d’article de journaux scientifiques et publications de travaux.
·       Analyse des besoins de nos partenaires industriels et propositions de solutions innovantes.
·       Participation à la recherche de nouvelles architectures de front end radio en utilisant les bénéfices de nouvelles technologies CMOS et BiCMOS avancées (FD-SOI etc …) ainsi que des matériaux III-V type GaN,
·       Conception au niveau transistor des front end radio intégrant les différents blocs clés au niveau actifs (amplificateur de puissance, LNA) et passifs (switch, déphaseur, lignes de propagation...) intégrant les simulations EM et allant jusqu’à l’implémentation physique (layout) sur des technologies avancées.
·       Orientation des différents développements technologiques justifiés par la montée en fréquence ou en puissance et la recherche d’efficacité énergétique (conception de blocs élémentaires avec des modèles technologiques en construction, évaluation des performances des blocs, modélisation paramétrique du fonctionnement prenant en compte l’impact technologique dans une approche de développement conjoint technologie & design).
·       Prise en compte dans la conception des blocs mmW actifs et passifs des contraintes d’intégration technologique avec l’environnement (assemblage technologique hybride par exemple BiCMOS et III-V, contrainte de packaging, interconnexion et système antennaire type réseau MIMO).
·       Réalisation, interprétation, synthèse et présentation de résultats de simulation et de test.
·       Spécification de cartes de test.


Travail au sein d’une équipe projet d’ingénieurs-chercheurs CEA et en relation avec des partenaires industriels et/ou académiques, en France et en Europe en particulier.

Des déplacements et missions sont possibles pour des salons et conférences ou chez nos partenaires. Les profils et compétences des collègues étant variés, il sera essentiel de faire preuve d’ouverture d’esprit et d’initiatives pour aller chercher l’innovation dans la complémentarité des ressources allouées aux projets. Les résultats obtenus et l’activité inventive devront prioritairement faire l’objet d’une analyse de propriété intellectuelle (protection ou exploitation.

Profil du candidat

Bac+5 minimum, Diplôme d’ingénieur ou de master avec un Doctorat dans le domaine de la conception de dispositifs intégrés mmW.

 

Expériences souhaitées :

- Conception d'amplificateurs de puissance avec des exigences d'efficacité énergétique et de linéarité dans les gammes mmW.

- Conception d’amplificateurs faible bruit RF/mmW

- Maitrise des simulations de front end RF/mmW complet incluant différentes classe d’amplificateurs.

- Maitrise des simulations électromagnétiques pour la conception de composants passifs

- Expérience en conception de circuits en technologies CMOS, SOI, BiCMOS, GaN.

- Expérience significative souhaitable dans la conception de circuits MMIC.

 

Vous devrez avoir une très bonne connaissance de l'utilisation des outils de conception de circuits intégrés analogique/RF, en Mesure RF et mmW, mais aussi en simulation électrique, en simulation électromagnétiques (EM) ainsi qu'en conception layout.

Les simulateurs utilisés seront ADS / Momentum / Spectre RF / Goldengate sous environnement Keysight ou CADENCE ainsi que les logiciels HFSS pour la conception EM en 3D (rayonnement, propagation, packaging, etc).  

Les projets étant des projets de recherche sur cahiers des charges non figés, vous devrez faire preuve de capacités d’adaptation et d'une réelle capacité à l'innovation. Vous devrez être autonome, doté d'une rigueur scientifique, être force de proposition et montrer une volonté à dépasser l'état de l'art. Les qualités suivantes sont en particulier recherchées :

·       Ouverture d’esprit

·       Esprit d’initiative et appétence pour l’innovation

·       Envie et capacité de travailler en équipe

·       Maitrise de l’environnement de simulation de circuit radio                millimétrique

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

  Grenoble

Critères candidat

Langues

Anglais (Courant)

Demandeur

Disponibilité du poste

02/01/2023