Stage - Optimisation de la technologie diode pour la détection IR par simulation numérique H/F

Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
  

Référence

2025-37036  

Description de l'unité

Au sein du Département Optique et PhoTonique (DOPT) du CEA LETI, le Laboratoire d'Imagerie « InfraRouge » (LIR) développe les nouvelles générations de détecteurs « infrarouge » refroidis sur les matériaux semi-conducteurs II-VI et III-V, dans le cadre d'un laboratoire commun avec notre partenaire industriel LYNRED, leader mondial en détecteurs IR

Description du poste

Domaine

Optique et optronique

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage - Optimisation de la technologie diode pour la détection IR par simulation numérique H/F

Sujet de stage

Optimisation de la technologie de la diode ultime pour la détection InfraRouge par la simulation numérique confrontée à la caractérisation électro-optique

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

 

Nous rejoindre, pour quoi faire ?

 

Au sein de notre laboratoire d’une vingtaine de personnes, en tant que stagiaire de niveau master2, votre rôle consistera à :

 

  • Réaliser des simulations numériques de type TCAD et des caractérisations électro-optiques dans le but d’étudier l’influence de certains paramètres physiques clés pour l’optimisation des performances des photodiodes pour la détection IR.

 

Le laboratoire développe actuellement une nouvelle filière de matrices de photodiodes HgCdTe pour les besoins très hautes performances pour le spatial.

 

  • La réalisation de photodiodes de faible dopage apporte certains avantages comme la réduction du courant d’obscurité et la possibilité de faire fonctionner les imageurs à plus haute température. La contrepartie est une forte sensibilité aux défauts matériaux. Ces défauts peuvent notamment être générés au cours du procédé de fabrication en salle blanche.
  • L’objectif du stage est de progresser sur la compréhension de l’impact de certaines étapes technologiques pour pouvoir optimiser les couches et diodes fabriquées dans nos salles blanches à l’état de l’art.
  • En particulier, un focus sera réalisé sur les phénomènes de crosstalk entre deux pixels voisins.
  • La simulation permettra d’évaluer l’effet d’un champ de contraintes mécaniques à proximité des diodes en configuration matricielle (prise en compte de l’effet piézoélectrique) ou encore les phénomènes de déplétion complète dans ces couches de très petits gaps (cartographie des champs électriques). L’influence de l’état de charge dans les isolants sera également investiguée.
  • Des mesures électriques et électro-optiques sur des dispositifs déjà existants complèteront ce travail. Ces mesures sont réalisées à basse température dans un environnement cryogénique (typiquement de 77K à 300K)

Profil du candidat

 

Qu’attendons-nous de vous ?

 

  • Vous êtes titulaire d’un master de recherche ou équivalent d’une école d’ingénieur, dans le domaine de la physique des composants à semiconducteurs ou de la photonique et avez envie d’une expérience riche dans le monde de la recherche appliquée.
  • Vous êtes à l’aise avec les outils numériques et avez aussi un attrait pour l’expérimentation.
  • Les compétences techniques requises au poste sont : physique de la jonction PN et du semi-conducteur. Aisance pour le traitement des données.
  • Vous êtes reconnu(e) pour votre capacité à intégrer de nouveaux concepts physiques, votre rigueur, votre capacité à analyse les données et les organiser.
  • Vous intégrerez une équipe d’experts qui vous formeront sur les outils de simulations et les différents bancs de test expérimentaux nécessaires à la bonne atteinte des objectifs du stage.

 

Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :

 

  • Un écosystème de recherche à la pointe, unique en son genre et dédié à des thématiques à fort enjeu sociétal, reconnu internationalement,
  • Des installations technologiques de dernière génération,

  • Un cadre de travail agréable et une équipe engagée,

  • Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce encouragée financièrement par le CEA,

  • Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,

  • Une possibilité de poursuivre en thèse,

  • Des encadrants bienveillants, passionnés et ayant l’envie de transmettre,
  • Une politique diversité et inclusion.

 

Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques

 

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

Grenoble

Critères candidat

Langues

Anglais (Intermédiaire)

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

01/02/2025