Informations générales
Entité de rattachement
Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.
Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).
Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.
Référence
2022-24987
Description de la Direction
Le Leti, institut de recherche technologique de Cea Tech, a pour mission d'innover et de transférer les innovations à l'industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique, de miniaturisation des composants, d'intégration système, et d'architecture de circuits intégrés, à la base de l'internet des objets, de l'intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée. Le Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l'innovation technologique.
Description de l'unité
Au sein du CEA-Leti, le Laboratoire des Dispositifs pour les Mémoires et le Calcul explore et développe des mémoires non-volatiles innovantes (NVM de type mémoires résistives) et des solutions de calcul en rupture (neuromorphique, calcul dans la mémoire…). Ce laboratoire rassemble des compétences en dispositifs et technologie nano-électronique et conception de circuit pour le calcul et les mémoires embarquées.
Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
CDD
Intitulé de l'offre
CDD - Ingénieur microélectronique filière CMOS nanofil à matériau 2D H/F
Statut du poste
Cadre
Durée du contrat (en mois)
36 mois
Description de l'offre
Votre rôle consistera à concevoir, fabriquer et caractériser des transistors intégrant un canal alternatif au Silicium (notamment Dichalcogénures de métaux de transition, oxydes semi-conducteur) pour les applications CMOS ou mémoire avancées. Vous développerez de nouveaux modules technologiques (grille, contacts…), proposerez des intégrations innovantes de ces matériaux et piloterez la fabrication des dispositifs en salle blanche. Vous réaliserez des caractérisations physiques et électriques pour comprendre et améliorer les performances des transistors et explorer leur potentiel applicatif.
Profil du candidat
BAC+5
Ingénieur électronique ou physicien : physique du dispositif CMOS, intégration de procédés micro-électroniques
Expérience dans l’industrie de la micro-électronique souhaitée
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
17 avenue des martyrs 38000 Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
Ingénieur électronique ou physicien : physique dispositif CMOS, intégration procédés µélectronique
Demandeur
Disponibilité du poste
06/02/2023
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