Les dispositifs microélectroniques à haute densité de circuits sont très demandés et font l'objet de nombreuses recherches et développements dans l'industrie. L’un des moyens d'obtenir une densité de circuits plus élevée consiste à réduire la dimension ou le pas des motifs. Cependant, à mesure que la dimension des motifs diminue, les défis liés à la fabrication augmentent. Des techniques d'amélioration de la résolution (RET), telles que la correction des effets de proximité optique (OPC), doivent donc être utilisées pour générer les masques.

La correction de proximité optique (OPC) vise à améliorer la fidélité des motifs sur wafer en compensant les erreurs dues aux effets optiques ou de procédés pendant les étapes de fabrication. Pour mettre en œuvre cette correction, un modèle de lithographie est nécessaire. Elle comprend un modèle optique du système d'exposition et un modèle de résine photosensible.

Ces modèles sont calibrés à l'aide d’un très grand volume de données expérimentales, qui comprennent des mesures CD-SEM et des contours extraits d'images SEM. L'acquisition des données et le post-traitement des images constituent un goulot d'étranglement dans le flux de calibration des modèles, consommant énormément de temps et de ressources.

Ce stage vise à optimiser la calibration des modèles de lithographie, en étudiant l'impact des données d'entrée sur la qualité des modèles obtenus.

Vous travaillerez avec un logiciel de lithographie computationnelle en étroite collaboration avec l'équipe de patterning computationnelle.

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Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs handicapés.