Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
2026-42165
Description de l'unité
Le laboratoire LTE travaille sur la croissance par épitaxie des couches semiconducteur, et également sur la caractérisation et compréhension de ces couches. Nos équipements à l'état de l'art sont installés dans des salle blanches de haut niveau, pour produire des plaques de grand dimension, très reproductibles et de haute qualité.
En nous rejoignant, vous contribuerez au développement [sujet principale labo] utilisées dans l'industrie française et européenne de demain.
Description du poste
Domaine
Matériaux, physique du solide
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Compréhension de robustesse de plaques GaN sur silicium H/F
Sujet de stage
Le stage a comme objectif de caractériser en détail la contrainte des plaques GaN sur silicium. Les contraintes seront à caractériser par rapport à la position sur la plaque, mais il va aussi falloir reconstruire le profil de contrainte dans l'épaisseur de ces couches pour chaque point. Ces caractérisations seront essentielles pour arriver à construire une modèle 3D des contraintes, et comprendre la fragilité qui est actuellement très courante pour nos plaques. Cela devrait nous permettre de mettre en place des stratégies pour rendre les plaques plus robustes dans le cadre d'une thèse qui va suivre le stage.
Durée du contrat (en mois)
[3 à 6 mois]
Description de l'offre
Contexte : La déposition de nitrure de gallium sur silicium permet la fabrication de composants haute performance dans les mondes de communications RF, d’émission de lumière pour la communication optique entre puces, mais surtout pour les convertisseurs d’énergie dont nous avons besoin pour les voitures électriques, les photovoltaïques…
Pourtant, pendant la déposition de ces couches, des contraintes sont incorporées dans les structures, ce qui augmente la fragilité de ces couches. Pour ce stage, l’objectif est de caractériser la contrainte dans ces couches, pour générer une cartographie 3 dimensionnelle des contraintes dans la plaque. Cela sera fait en premier par les analyses de diffraction de rayons-X, suivi par des reconstructions avec des codages sous Python. La suite de l’étude sera de faire des modélisations et des tests mécaniques de la robustesse des plaques afin de mettre en place une stratégie pour diminuer leur fragilité. Ce stage sera poursuivi en thèse en collaboration avec le CEMEF, une laboratoire à Sophia-Antipolis.
Le stage sera basé à Grenoble au CEA-LETI, pour une durée de 6 mois.
Compétences requises : M2 Matériaux/Microélectronique/Physique.
Moyens / Méthodes / Logiciels
Caractérisation par diffraction de rayons-X, traitement de données par code Python
Profil du candidat
Qu’attendons-nous de vous ?
Vous préparez un diplôme de niveau M2, idéellement dans le domaine matériaux.
Vous possédez des connaissances en codage Python, pour mieux traiter les données.
Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles !
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
Grenoble
Critères candidat
Langues
Anglais (Intermédiaire)
Diplôme préparé
Bac+5 - Master 2
Possibilité de poursuite en thèse
Oui
Demandeur
Disponibilité du poste
01/02/2026
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