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Information

Stage - Développement d'un procédé de transfert de couche mince d'Oxyde de Gallium Ga2O3 pour l'électron

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Détail de l'offre

Informations générales

CEA (logo)

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
  

Référence

2026-41952  

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage - Développement d'un procédé de transfert de couche mince d'Oxyde de Gallium Ga2O3 pour l'électron

Sujet de stage

L'introduction de nouveaux matériaux semiconducteurs dits à « large bande interdite » est nécessaire à l'amélioration de l'efficacité des systèmes de conversion d'énergie. De la salle blanche aux tests électriques, vous étudierez les propriétés de substrats innovants à base d'oxyde de gallium (Ga2O3) : un matériau prometteur, mais dont certaines limitations inhibent encore le potentiel.

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

Le laboratoire d’accueil est spécialisé dans le développement de procédés de report de couches ultraminces, appliqués à une large gamme de matériaux semiconducteurs, allant du silicium au graphène.

Ces technologies, déjà industrialisées – notamment avec la technologie Smart Cut™ – trouvent des applications dans des domaines clés tels que l’optoélectronique, les antennes radiofréquence, les capteurs ou encore l'électronique de puissance.

En nous rejoignant, vous contribuerez à l’adaptation et à l’optimisation de ces procédés pour de nouveaux matériaux, dont les applications seront appelées à structurer l’industrie française et européenne de demain.

 

Au sein de l'équipe « Wide Bandgap », composée de trois ingénieurs, deux doctorants (avec qui vous partagerez vos avancées), un alternant et un technicien, vous travaillerez sur le développement et la caractérisation de substrats innovants à base d'oxyde de gallium Ga2O3.

Vous ajouterez votre touche sur les missions suivantes :

- Fabrication des véhicules de test dédiés en mettant en œuvre différentes étapes technologiques en salle blanche.


- Caractérisation des performances électriques et thermiques des substrats Ga2O3 par différentes techniques de mesure.


- Analyse et interprétation des résultats expérimentaux en lien avec l'architecture des matériaux et leur défectivité.


- Simulations numériques (électrique, thermique) et analyse de cycle de vie pourront également être envisagées.

 

[For English version, please check the attached document]

 

Profil du candidat

Qu'attendons nous de vous : 

Vous préparez un diplôme de niveau BAC+5 ou équivalent dans le domaine des sciences des matériaux ou de la microélectronique.

Vous êtes passionné.e par la recherche scientifique et technologique et êtes reconnu.e pour votre capacité à résoudre des problèmes complexes, votre adaptabilité et vos aptitudes en communication.

Vous possédez des connaissances en physique des semiconducteurs et en techniques de caractérisation.

L'ouverture à une poursuite en thèse serait un plus.

Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :

- L'opportunité de travailler au sein d'une organisation de renommée mondiale dans le domaine de la recherche scientifique,


- Un environnement unique dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels,


- Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,


- Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,


- De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage


- Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,


- Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,


- Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,


- Un restaurant d'entreprise.

 

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l’inclusion des travailleurs handicapés.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

GRENOBLE

Critères candidat

Langues

Anglais (Intermédiaire)

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

01/02/2027


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