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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

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Stage-Développement de dépôt par couche atomique (ALD) H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2018-6850  

Description de l'unité

Le CEA LETI (Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information) à Grenoble est un des centres de recherche technologique leaders mondiaux en matière de NTIC (Nouvelles Technologies de l'Information et de la Communication).
Sa mission première est de développer des solutions innovantes dans ses différents domaines de compétences et de les transférer à l'industrie dans le cadre de partenariats industriels, afin de répondre aux besoins de marchés à forte croissa

Délai de traitement

2 mois

Description du poste

Domaine

Optique et optronique

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage-Développement de dépôt par couche atomique (ALD) H/F

Sujet de stage

Développement de dépôt par couche atomique (ALD) pour capteurs d'images hautes performances

Durée du contrat (en mois)

6 mois

Description de l'offre

Contexte :

Le Département d'Optique et PhoTonique (DOPT) du CEA-Leti mène des travaux de R&D sur des imageurs infrarouge réalisées avec le semiconducteur composé CdHgTe. Une récente thèse menée en partenariat avec Sofradir et le Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM-CNRS) a permis de souligner l'importance de la passivation du semiconducteur sur l'homogénéité des performances des capteurs. La technique de dépôt par couche atomique (ALD) est sensible à la chimie de surface du substrat. Une fois maîtrisée, cette technique permet de faire des dépôts sélectifs, avec une excellente conformité, et présentant de très bonnes propriétés diélectriques pour des épaisseurs de quelques de nm. L'ALD est aujourd'hui la technique de référence dans l'élaboration de transistors CMOS pour la microéléctronique. Dans le domaine des imageurs IR à base de CdHgTe, l'apport de la technique reste à démontrer.

 
Objectif du stage :

Dans ce stage à dominante expérimentale, le stagiaire mènera une étude paramétrique sur une machine de dépôt par couche atomique, avec pour objectif d'analyser l'influence des paramètres majeurs (température, durée de cycle, assistance plasma...) sur les caractéristiques des couches. Pour ce faire, le stagiaire fabriquera ses échantillons en utilisant les techniques de la micro-électronique en salle blanche (nettoyage plasma, attaque acide, dépôt de couches minces), et les caractérisera principalement par ellispométrie et spectroscopie de photo-électron X. Ponctuellement, des caractérisations par spectrométrie de masse d'ions secondaires pourront être conduite. La campagne d'expérience devra permettre de statuer sur les intérêts et points durs de la technique ALD pour la passivation de photo-détecteur IR.

Date limite de candidature :

15 Nov 2018

Durée 6 mois sur la période Février-Aout 2019

Dans la continuité du stage, une thèse débutant en Octobre 2019 pourrait être proposée

Pour postuler, envoyer CV et lettre de motivation à francois.boulard@cea.fr

Moyens / Méthodes / Logiciels

Pack office

Localisation du poste

Site

Grenoble

Lieu

17 rue des martyrs 38000 grenoble

Critères candidat

Diplôme préparé

Bac+5 - Master 2

Formation recommandée

Ingénieur/Master

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

01/02/2018