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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Stage: Développement de procédé de gravure GaN pour les transistors de puissance H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2021-19060  

Description de l'unité

A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nano technologies, technologies de l'information et de la santé.
Interface privilégiée du monde industriel et de la recherche académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés via des programmes de recherche utilisant nos plateformes technologiques.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage: Développement de procédé de gravure GaN pour les transistors de puissance H/F

Sujet de stage

Les composants électroniques de puissance sont utilisés dans les nouvelles technologies pour l'énergie telles que le photovoltaïque, l'éolien ou encore le véhicule électrique. Le remplacement du silicium, limité pour de telles applications, par des matériaux III-N (GaN, AlGaN) a permis d'améliorer les performances des transistors utilisés. Une étape clé pour obtenir les caractéristiques électriques désirées est le contrôle précis de la gravure du matériaux III-N. Cette gravure ne doit pas endommager l'empilement sous-jacent afin de ne pas impacter les performances électriques du dispositif final.

Durée du contrat (en mois)

6 max

Description de l'offre

Ce stage aura pour objectif le développement de procédés de gravure plasma pour les matériaux III-N tels que le GaN, dans le cadre d’un projet de fabrication de transistors de puissance. Ce stage Ingénieur/master (Bac+5) se déroulera dans l’environnement salle blanche 200mm du LETI. Il se décomposera en 2 parties :  

1. Développer les procédés de gravure pour le GaN suivant les spécifications visées en terme de vitesse de gravure, de profil, et d’endommagement.

2. Evaluer cet endommagement engendré par les procédés de gravures afin de les optimiser, en utilisant les outils de caractérisations adaptés (mesure de C(V), Dit, Résistivité,  XPS, AFM, MEB,…)

Vous travaillerez de manière transverse avec les équipes procédé du Leti et l’équipe «Procédés Innovants pour dispositifs Opto et Nano Electroniques» du laboratoire LTM-CNRS présent le site du CEA. Etre autonome sera essentiel pour profiter au mieux de la variété des compétences disponibles. De bonnes connaissances en matériaux et en caractérisation physico-chimiques seront nécessaires pour aborder cette problématique. Des notions de micro-électroniques, notamment sur les techniques de fabrication utilisées dans ce domaine, seront un plus. Vous serez également attendu sur votre capacité à rendre compte de votre travail régulièrement par des présentations et rapports.

Envoi des CV et LM : patricia.pimenta-barros@cea.fr

Profil du candidat

Bac+5

Ingénieur/Master 2 Matériaux, nano caractérisation

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

GRENOBLE

Critères candidat

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Demandeur

Disponibilité du poste

07/02/2022