A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nano technologies, technologies de l’information et de la santé.

Interface privilégiée du monde industriel et de la recherche académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés via des programmes de recherche utilisant nos plateformes technologiques.

L’étude de l’obtention d’un contact électrique ohmique via le dépôt PVD d’un métal sur un semi-conducteur est primordial pour l’amélioration des performances d’un dispositif microélectronique. L’évaluation de la résistivité spécifique de contact, valeur caractéristique de sa performance, s’éffectue par la mesure de structure TLM (Transfer Length Method). La réalisation de ces structures nécessite une succession de plusieurs séquences dépôt / lithographie / gravure en salle blanche. Ces micro-structures sont ensuite mesurées électriquement sur prober.

Cette étude est en lien avec le domaine applicatif des transistors haute fréquence HBT. Les alliages d’antimoniures (GaSb et GaAsSb) sont une famille de matériaux qui peuvent être épitaxiés sur le substrat III/V InP. Ces antimoniures doivent permettre une diminution des résistances de contact à l’interface de l’électrode p par rapport au seul matériaux III/V.

Travail demandé :

Cette alternance se place dans le cadre de la réalisation de structure TLM afin d’étudier différents couples métal / semi-conducteur d’antimoniures visant à définir une brique contact performante et robuste pour une intégration en fabrication sur une plateforme silicium 200mm . L’alternant devra :

•Suivre en salle blanche la fabrication des structures TLM. La prise en main de certaines étapes par l’étudiant sera nécessaire.
•se former sur la mesure actuel des structures TLM.
•Assurer le reporting des résultats obtenus.

L’alternance s’éffectuera au sein du service des dépôts. Le profil ciblé est un étudiant curieux, autonome et motivé par un travail expérimentale en salle blanche souhaitant réaliser sa dernière année de BUT en alternance dans un environnement de haute technologie.