Pourquoi nous rejoindre ?

Les technologies dites « Photonique sur silicium » sont depuis quelques années au centre des plus importants développements technologiques mondiaux, notamment pour assurer des transmissions de données massives à très haut débit (> 100 Gbits/s). Les applications sont diverses allant de l’IA au calcul quantique en passant par les capteurs optiques. Les circuits “PIC” (Photonics Integrated Circuit) sont envisagés comme une solution compatible « CMOS » pour intégrer des transferts de données directement sur silicium afin d’augmenter la vitesse de calcul entre les différents pôles électroniques au sein de la puce. Au même titre que les technologies microélectroniques standards, les circuits PIC sont soumis à la miniaturisation, l’empilement 3D et le co-packaging. Ces voies d’améliorations de performances nécessitent l’intégration de composants électroniques et optiques fiables. 

Vos missions

Dans le cadre de ce poste, vous êtes en charge de caractériser, comprendre et optimiser la dégradation des dispositifs unitaires (photodiodes, photomodulateurs…) des circuits PIC fabriqués sur des wafers Si 300mm.

Vous travaillez en équipe avec William et Krunoslav dans le cadre d’un partenariat industriel visant à évaluer la fiabilité et les dégradations électro-optiques des dispositifs HSPM (High Speed Phase Modulator) et HSPD (High Speed PhotoDiode) sur wafer.

Vos actions quotidiennes seront

• développer des setup de mesure de dégradation sous lumière (sources O/C band) et sous condition « dark » afin de caractériser la durée de vie des composants sous des conditions de vieillissement sur prober,
• développer une solution de mesures RF électro-optiques sous pointes jusqu’à 110 GHz afin d’accéder aux variations de performances RF des composants lors de leur vieillissement,
• Comprendre et modéliser avec des lois empiriques et physiques les données expérimentales (avec/sans illumination) concernant la dégradation des paramètres électro-optiques,
• Réaliser des simulations TCAD afin de comprendre la physique de la dégradation accélérée et les zones potentiellement critiques dans la structure interne des composants,
• Extraire des durées de vies dans des conditions nominales de fonctionnement des composants basées sur les modèles de dégradations.
• Assurer le reporting et présentations devant les partenaires industriels durant des réunions techniques,
• Assurer la validité des data et leur durabilité pour un transfert aux différentes équipes concernées.

Vous êtes titulaire d’un bac+5 ou équivalent avec une première expérience significative - ou un doctorat - dans le domaine de la physique des semiconducteurs.

La programmation en Python est un prérequis indispensable (instrumentation et analyse de données) ainsi que la connaissance des tests de wafers sous pointes.

Vous appréciez le travail expérimental.

Des compétences concernant les mesures optiques et/ou RF sont un plus, au même titre qu’une expérience en simulation TCAD.

Vous êtes reconnu(e) pour votre proactivité, vos capacités de synthèse et de présentation orale.

Vous êtes motivé(e) pour travailler en équipe, en combinant vos énergies pour atteindre un objectif commun.

Vous avez encore un doute ? nous vous proposons :

• Un écosystème de recherche à la pointe, unique en son genre et dédié à des thématiques à fort enjeu sociétal,
• Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles,
• Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
• Un poste au coeur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, 
• Une rémunération selon vos diplômes et votre expérience,
• Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,
• Une politique diversité et inclusion.

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!