Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
2026-41858
Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Stage - Vers des composants de puissance de prochaine génération en AlN H/F
Sujet de stage
Ce sujet concerne les développement de composants de puissance à base d'AlN. Il portera sur de la caractérisation électriques, de la modélisation et des simulations TCAD et pourra constituer le travail préparatoire de la thèse qui est proposée sur la même thématique.
Durée du contrat (en mois)
4 à 6 mois
Description de l'offre
Contexte
L'AlN est un semiconducteur UWBG (ultra wide bandgap) permettant de réaliser potentiellement des composants de puissance avec une très forte tenue en tension (au-delà de plusieurs kV) avec une très faible résistance à l'état passant qui pourrait induire une très forte réduction de l'échauffement et donc de la taille du convertisseur (économie d'énergie et de matière).
Une première brique importante à maîtriser concerne le développement de contacts ohmiques sur des zones de type n et p qui peuvent être obtenues par dopage électrostatique développé avec nos partenaires l’Univ. de Stanford et le CNRS-LTM.
Objectifs du stage
L'objectif du stage sera :
- D'étudier les propriétés électriques de contacts ohmiques développés avec cette technologie ;
- De réfléchir à la conception de transistors et diodes de puissance qui pourront les employer.
Recherche bibliographique et impact environnemental
Un volet concernera également une recherche bibliographique sur les différentes techniques utilisées pour réaliser les couches d’épitaxie envisagées à base d’AlN, en vue d'une analyse de leur criticité matériau par rapport à d'autres semiconducteurs UWBG ou WBG, ainsi que l’énergie nécessaire pour la fabrication des couches.
L'impact écologique de la réalisation de l'épitaxie pourra être également étudié (on pourra échanger avec Stanford sur ce sujet).
Profil du candidat
Nous recherchons un.e candidat.e suivant une formation en génie électrique et microélectronique intéressé.e par un travail portant sur le fonctionnement des dispositifs semiconducteurs pour l'électronique de puissance et étant attiré.e par la recherche appliquée.
Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l’inclusion des travailleurs handicapés.
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes
Ville
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
En dernière année d'école d'ingénieur ou master 2 - génie électrique et microélectronique
Possibilité de poursuite en thèse
Oui
Demandeur
Disponibilité du poste
15/02/2027
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