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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Internship: Integration of a resistive memory with a back-end selector in FDSOI 28nm node H/F


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.  

Référence

2019-10157  

Description de l'unité

Le Leti, institut de recherche technologique de Cea Tech, a pour mission d'innover et de transférer les innovations à l'industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique, de miniaturisation des composants, d'intégration système, et d'architecture de circuits intégrés, à la base de l'internet des objets, de l'intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée. Le Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l'innovation technologique. L'institut est localisé à Grenoble avec deux bureaux aux USA et au Japon, et compte 1800 chercheurs.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Internship: Integration of a resistive memory with a back-end selector in FDSOI 28nm node H/F

Sujet de stage

Integration of a resistive memory with a back-end selector in FDSOI 28nm node for In Memory Computing applications

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

Context :

The near future is Internet of Things (IoT), with the need of a data storage infrastructure allowing Big Data processing and Artificial Intelligence (AI) applications. The Memory Laboratory in CEA-LETI is developing the next generations of Non-Volatile Memories, and among them Cross Bar structure based on ReRAM + OTS selector is very promising. While first demonstration has been done at cell level, matrix demonstration has not been demonstrated yet. The target is on 28 nm technology node that offer a great compromised between advanced node and flexibility of integration.

 

Objectives

In this internship, we propose to integrate a resistive memory (OxRAM) with a back-end Selector (OTS-type) in 28nm technology with 12 inches platform for In Memory Computing applications. To this aim, LETI MAD300 test vehicle will be used. The RRAM and the OTS will be integrated in the BEOL on top of a 28nm FDSOI technology. Integration schemes will be defined and analyzed, in terms of risk and ease of fabrication. Key integration steps (among them memory point dimension, stack etching, contamination…) will be addressed and discussed. Memory dot will be accurately designed based on RRAM and OTS intrinsic properties in order to target device features (operating voltages, current, ON and OFF resistances, memory leakage current…) compatible with 28nm technology in a crossbar array. Process flow will be finalized using commercial tools, so that integration can be achieved in LETI cleanroom, using 300mm test vehicle and platform.

 

If you are interested by the internship, please send your CV and a motivation letter to gabriel.molas@cea.fr

 

Profil du candidat

You are interrested by new technologies and research an internship to obtain your engineering or master's degree.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes

Ville

17 avenue des martyrs 38000 Grenoble

Critères candidat

Langues

Anglais (Intermédiaire)

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

01/02/2020